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SB-402双面曝光机(光刻机)

SB-402双面曝光机(光刻机)主要用于半导体光电器件、功率器件、传感器、混合电路、微波器件及微电子机械系统(MEMS)等制作的双面对准和曝光。最大兼容4英寸晶圆。

对准工作台:

高精度薄型精密双层三维对准工作台,采用交叉滚柱V形导轨副和θ向超薄轴承及中心滑块结构,保证了工作台的直线性和旋转精度。

机械手机构:

机械手采用直线导轨和滚珠丝杠结构,具有高的定位精度和重复精度。

上版架系统:

上掩模版的升降导轨选用THK可调分离型直线导轨,驱动采用高分辨率的数显微分头,从而保证两掩模版的重复精度和定位精度。

对准观察系统: 

双光路结构的卧式分离视场显微镜,可以获取高清晰的图像同时兼容CCD成像液晶显示功能

电气控制系统:

整机采用PLC+触摸屏控制,提供运行状态显示及多种检测功能,易于操作,控制精度高,性能稳定。

曝光系统:

上、下两套独立的紫外光曝光系统,采用先进的结构方案,具有较高的光强、均匀性、光学分辨率。
 
联系方式:020-38699788

□对准工作台指标:
 X向行程:±4mm
 Y向行程:±4mm
 旋转角θ向:±5°
 基片尺寸:Maxφ4″
 掩模尺寸:Max5″×5″
 双面对准精度:±0.003mm
□机械手机构指标;
 机械手对下掩模分离间隙:0~100μm(当量1μm)
□曝光系统指标;
 光源:250W超高压汞灯
 波长:UV365
 最大曝光面积;φ110mm
 曝光不均匀性:±3%
 曝光分辨率:3μm(正胶)
 汞灯冷却: 风冷
 曝光时间:0~999s 档量1s
□分离视场显微镜指标:
 总倍率: 65X
 视场:φ3.3mm
 物镜分离距离:26~70mm
□所需设施:
 输入电压:~220V±22V(50HZ)
 整机功率:1.5KW
 室内光线: 红色、黄色
 氮气(N2):0.2~0.4MPa
 压缩空气:0.5~0.7MPa
 真 空 :-0.08~-0.1mPa
□体积及重量:
 重量: 480㎏
 外形尺寸:950㎜×850㎜×1500㎜ 
SB-402双面曝光机(光刻机)
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